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| 10+ | NT$174.72 |
| 120+ | NT$147.7613 |
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起訂量：1倍增量：1
價格:NT$209.8688數量:
合計:NT$210
- Series
- QFET®
- Packaging
- Tube
- Part Status
- Active
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 23.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 240mOhm @ 11.8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 145nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 5500pF @ 25V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 310W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-3PN
- Package / Case
- TO-3P-3, SC-65-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- DMPH6250S-7
- VN340SPTR-33-E
- MIC3490-5.0YM5-TR
- MB10M
- NUP2201MR6T1G
- ZXTR2112F-7
- GRM155R71H122KA01D
- RC0603FR-071M1L
- HSS-B20-0508H-01S
- ANT-5GW-MMG1-SMA-1
- BZX84C6V8LT1G
- RC320-12
- RC320-12
- MS27472T10F5S
- AZC399-04S
- RC0100FR-075R1L
- RC0100FR-073RL
- BAP70-02,115
- AZ1143-04F
- AZ1123-04F
- GT32-10S-SP
- GT32-10S-6CF
- GT32-10S-HU
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- 0010844020
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- GYC1V101MCW1GS
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- BG095-06-A-N-D
- THS5671AIPW
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